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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

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引線連接前的plasam清洗大大降低鍵合區(qū)的失效率

引線連接前的plasam清洗大大降低鍵合區(qū)的失效率:
      plasam清洗工藝中,除選擇工藝氣體、等離子電源、電極結(jié)構(gòu)、反應(yīng)壓力等因素外,還應(yīng)考慮其它因素。接下來(lái),我們將通過(guò)一個(gè)例子,為大家介紹等離子在各行業(yè)的應(yīng)用實(shí)例。隨著芯片集成度的提高,對(duì)封裝可靠性提出了更高的要求,而微粒污染物及晶片與基片之間的氧化物是造成封裝失敗的主要原因。因此對(duì)環(huán)境友好、清洗均勻性好、三維處理能力強(qiáng)的plasam清洗技術(shù)成為微電子封裝的首選方法。本文闡述了plasam清洗技術(shù)的基本原理,并通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了由不同材料組成的混合電子器件清洗過(guò)程,討論了等離子清洗對(duì)引線連接工藝的影響,論證了plasam清洗工藝是提高產(chǎn)品粘合質(zhì)量可靠性的有效方法。

plasam清洗

      目前的微波電子器件正朝著微型化方向發(fā)展,組裝器件的密度越來(lái)越大、工作頻率越來(lái)越高,對(duì)其分布參數(shù)的影響和可靠性的要求越來(lái)越高,這給微電子制造工藝技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)。plasam清洗技術(shù)是干式清洗的一項(xiàng)重要技術(shù),在微電子工業(yè)中的應(yīng)用日益廣泛。
       粘合失效是致使混合電子器件制造工藝失效的主要原因之一。根據(jù)統(tǒng)計(jì),在混合電子器件中,約有70%的產(chǎn)品失效是由于粘合失效造成的,原因在于,在鍵合區(qū)生產(chǎn)過(guò)程中,不可避免地會(huì)受到各種污染物,包括各種有機(jī)和無(wú)機(jī)殘留物,如果沒(méi)有對(duì)鍵臺(tái)進(jìn)行直接焊接,會(huì)造成虛焊、脫焊、粘合強(qiáng)度不足及粘合應(yīng)力差等缺陷,造成產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性無(wú)法保證。等離子清洗法可有效地清除鍵合區(qū)中的污染物,提高鍵合區(qū)表面化學(xué)能和浸潤(rùn)性,從而使引線連接前的plasam清洗大大降低鍵合區(qū)的失效率,提高產(chǎn)品的可靠性。

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