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等離子清洗設備為何在晶圓拋光后清洗中占有重要地位

      工藝技術和應用條件上的區別使得目前市場上的清洗設備也有明(顯)的差異化,目前,市場上主要的清洗設備有單晶圓清洗設備、自動清洗臺和洗刷機三種。在21世紀致今的跨度上來看,單晶圓清洗設備、自動清洗臺、洗刷機是主要的清洗設備。
      單晶圓清洗設備一般是指采取旋轉噴淋的方式,用化學噴霧對單晶圓進行清洗的設備,相對自動清洗臺清洗效率較低,產能較低,但有著極高的制程環境控制能力與微粒去除能力。自動工作站,也稱槽式全自動清洗設備,是指在化學浴中同時清洗多個晶圓的設備優點是清洗產能高,適合大批量生產,但無法達到單晶圓清洗設備的清洗精度,很難滿足在目前(頂)尖技術下全流程中的參數要求。并且,由于同時清洗多個晶圓,自動清洗臺無法避免交叉污染的弊端。洗刷器也是采取旋轉噴淋的方式,但配合機械擦拭,有高壓和軟噴霧等多種可調節模式,用于適合以去離子水清洗的工藝中, 包括鋸晶圓、晶圓磨薄、晶圓拋光、研磨、CVD等環節中,尤其是在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。

等離子清洗機設備
      單晶圓清洗設備與自動清洗臺在應用環節上沒有較大差異,兩者的主要區別在于清洗方式和精度上的要求,以45nm為關鍵分界點。簡單而言,自動清洗臺是多片同時清洗,的優勢在于設備成熟、產能較高,而單晶圓清洗設備是逐片清洗,優勢在于清洗精度高,背面、斜面及邊緣都能得到有效的清洗,同時避免了晶圓片之間的交叉污染。45nm之前,自動清洗臺即可以滿足清洗要求,在目前仍然有所應用;而在45以下的工藝節點,則依賴于單晶圓清洗設備達到清洗精度要求。在未來工藝節點不斷減小的情況下,單晶圓清洗設備是目前可預測技術下清洗設備的主流。
      等離子清洗設備是貫穿半導體產業鏈的重要環節,用于清洗原材料及每個步驟中半成品上可能存在的雜質,避免雜質影響成品質量和下游產品性能,在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、沉積等關鍵制程及封裝工藝中均為必要環節。


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