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CRF plasma 等離子清洗機

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CRF等離子清洗機制備納米粉末有別的獨有的優(yōu)勢

CRF等離子清洗機制備納米粉末有別的獨有的優(yōu)勢:
       氧化鉍是一種重要的功能粉體材料,廣泛應用于無機合成、電子陶瓷、化學試劑等領域,主要用于制造瓷介電容器,也可用于制造壓電陶瓷、壓敏電阻等電子陶瓷元件。鑒于納米氧化鉍粒度更細,除了擁有一般粒度的氧化鉍粉末的性質和用途外,還可以用于對粒度有特殊要求的場合,如電子類材料、超導材料、特殊功能陶瓷材料、陰極射線管內壁涂料等。

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       因此,對納米Bi:O3制備方法及應用的探索已引起了相關研究人員的廣泛興趣。制備納米Bi20,方式大致有固相反應法、沉淀法、噴霧燃燒法、溶膠-凝膠法等,這些方法已取得良好的效果,但仍存在一些局限性:噴霧燃燒法制備的納米氧化鉍粒徑不均勻且對設備要求較高;化學法生產(chǎn)的納米氧化鉍易團聚,鑒于生產(chǎn)過程中使用了堿液,不可避免的帶入了堿金屬或堿土金屬離子,影響氧化鉍的純度。
CRF等離子清洗機等離子體的活性大,它是處于電離狀態(tài)的氣態(tài)物質,是一種氣相的化學反應。       plasma是純凈氣體電離產(chǎn)生的,有利于制備高純度的粉體。鑒于等離子表面處理機等離子體的溫度梯度大,所以容易得到高飽和度,也很容易實現(xiàn)快速淬冷,得到高純的納米粉末。與液相法對比,正常情況下氣相法制備的粉體產(chǎn)品純度高、表面清潔、結晶組織好、環(huán)境污染少,因而在制備鉍納米粉體時,使用氣相法更為有利。
        用CRF等離子清洗機制備納米粉末有許多用別的方式所不具備的優(yōu)點。等離子體為熱源,以普通微米級納米氧化鉍粉體為原料,通過選擇合適的功率、加料量,成功制備出粉末中位粒徑17.5nm、比表面積為47.73m/g的正方晶系納米BizO3粉末;制備的納米氧化鉍純度高、結晶組織好。

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