等離子刻蝕機機制是ICP射頻形成的輸出到環(huán)耦合線圈：
       眾所周知，一般只使用等離子蝕刻機、表面清洗和表面活化作用，今日，詳細(xì)介紹下等離子的另1個作用：刻蝕。
等離子刻蝕是什么？在半導(dǎo)體器件工序、微電子IC制作工序以及微納制作階段中，腐蝕是一個十分關(guān)鍵的階段。通過化學(xué)或物理方法，選擇性地移除硅片表面多余物質(zhì)的階段。其基本目標(biāo)是正確復(fù)制涂層硅片上的模具圖形。等離子刻蝕的分類：干蝕刻和濕蝕刻。濕蝕刻是一種純化學(xué)反應(yīng)階段，利用溶液與預(yù)蝕刻材料之間的化學(xué)反應(yīng)去除未覆蓋的部分，達(dá)到蝕刻的目的。干蝕的種類很多，主要有揮發(fā)性、氣相性、等離子腐蝕等。
等離子刻蝕是干法刻蝕中最常見的形式：

      等離子刻蝕機的基本原理是ICP射頻ICP射頻形成的射頻輸出到環(huán)耦合線圈，通過耦合光放電形成一定比例的混合蝕刻氣體，形成高密度等離子。在下電極RF射頻的作用下，這些等離子刻蝕機轟擊基板表面，中斷了基板圖形區(qū)域半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵，與蝕刻氣體形成揮發(fā)性物質(zhì)，以氣體形式與基板分離，從真空管道中取出。

首先，在某種程度上，等離子清洗本質(zhì)上是等離子刻蝕機的輕微情況。這樣，通過接入所需的蝕刻氣體，增加功率，提高工作時間，可以達(dá)到蝕刻的目的。畢竟，如果不是專業(yè)的蝕刻機，效果肯定不如專業(yè)的蝕刻機好。然而，納米級蝕刻仍然可以根據(jù)材料、功率、工作時間等處理，甚至可以達(dá)到微米級蝕刻。
        對于一些不需要經(jīng)常使用蝕刻的客戶，或者蝕刻要求不高的客戶，可以用等離子刻蝕機進(jìn)行蝕刻處理，只需要準(zhǔn)備掩模板，這對于成千上萬的蝕刻機來說是十分劃算的。目前等離子刻蝕在集成電路制作廣泛使用，去除表面有機物，等離子是部分離化的中性氣體，在等離子中自由電子與中性分子，原子進(jìn)行碰撞，通過碰撞電離，進(jìn)一步得到更多的電子和離子。基于電子的能量，可以獲得更豐富的離子，激發(fā)態(tài)高能中性粒子等，同時由于電子吸附在中性氣體表面還可獲得負(fù)離子。由于每種氣體在原子分子物理學(xué)中有各自的能級結(jié)構(gòu)，故高能電子可以將氣體激發(fā)到不同的能級上，當(dāng)氣體分子、原子從高能級向低能級回遷時將會輻射出不同能量的光子，不同能量的光子代表了不同的波長。