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plasma等離子處理系統


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crf等離子表面處理儀作用下O2氧化CH4反應機理制取C2烴反應

crf等離子表面處理儀作用下O2氧化CH4反應機理制取C2烴反應：
crf等離子表面處理儀引發的自由基反應與非均相催化反應非常相似，但plasma等離子體是相當行之有效的官能團引起形式。對于CO2氧化CH4一步制取C目前對2烴反應機理的看法比較一致：CO分解反應在等離子體的作用下產生CO和激發態.在甲烷氧化偶聯反應中，亞穩態活性氧物種非常活躍。依據反應，官能團是C2H6.C2H4.C2H2.CO和H2、可能的反應機制如下：
(1)生成氧物種
CO2+e→CO+0-
CO2+e→CO+0+e
(2)生成甲基官能團
CH4+0-→CH3?+0H-
CH4+O→CH3?+OH
(3)生成C2烴
CH3+CH3→C2H6
C2H6+e→C2H5+H+e
C2H6+O→C2H5+OH
2C2H5→C2H4+C2H6
C2H5+CH3→C2H4+CH4
(4)生成CO
CHX+O→HCHO+H
HCHO+O→OH+CHO
CHO+O→OH+CO

等離子表面處理儀

crf等離子表面處理儀作為一種行之有效的官能團引起手段已成功的用于CO2氧化CH4一步制取C2烴反應，取得了比化學催化法更好的試驗效果。但C2烴產物選擇性較低，反應機理尚不清楚，因此有必要對等離子體作用下CO2氧化CH4一步制取C2烴反應進行深入研究。

采用發射光譜方法，在紫外-可見波段可有效地檢測到crf等離子表面處理儀中許多種類的激發態物種，不對等離子體反應體系產生干擾，可實現原位分析。因而近年來，有關發射光譜原位診斷技術用于crf等離子表面處理儀的研究報道不斷增多，但主要集中于對等離子體條件下CH4-H2制金剛石薄膜沉積體系的研究。采用發射光譜法原位診斷技術分析crf等離子表面處理儀條件下CO2氧化CH反應體系不同CO2加入量時CH4反應活性物種。

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日期：2022-11-21